Китайские ученые сделали значительный шаг вперед в области полупроводников, разработав новый метод массового производства высококачественного селенида индия. Этот прорыв может значительно улучшить технологии, используемые в искусственном интеллекте и автономном вождении.

Исследование, представленное в пятницу в журнале Science, было выполнено специалистами из Пекинского университета и Китайского университета Жэньминь. Новая методика может способствовать созданию чипов нового поколения, которые смогут превзойти текущие кремниевые технологии.

Современные информационные технологии целиком зависят от интегральных схем, которые на сегодняшний день приближаются к своим физическим пределам производительности. В связи с этим разработка новых высокоэффективных полупроводников с низким энергопотреблением становится важной задачей для ученых всего мира.

Селенид индия, называемый так называемым «золотым полупроводником», долгое время оставался недоступен для массового высококачественного производства, что мешало его интеграции в технологические процессы.

Профессор Лю Кайхуэй из Пекинского университета подчеркнул, что ключевым моментом является поддержание идеального соотношения атомов индия и селена в пропорции 1:1 на протяжении всего процесса производства.

В исследовании была использована новая методика, при которой аморфная пленка селенида индия и твердый индий нагревались в герметичных условиях. Испаренные атомы индия создавали специальную поверхность на краю пленки, что способствовало формированию высококачественных кристаллов с регулярным атомным расположением.

По словам Лю, разработанный метод разрешает сохранять правильное соотношение атомов и устраняет основные проблемы, стоящие на пути перехода селенида индия от лабораторной стадии к промышленному производству.

Цю Чэнгуан, исследователь из Школы электроники Пекинского университета, отметил, что команде удалось создать пластины из селенида индия диаметром 5 сантиметров и разработать крупномасштабные массивы высокопроизводительных транзисторов, готовых к использованию в интегрированных микросхемах.

Лю также добавил, что этот прорыв открывает новые горизонты для создания микросхем нового поколения с низким энергопотреблением, которые могут найти широкое применение в областях искусственного интеллекта, автономного вождения и интеллектуальных терминалов.

Рецензенты журнала Science охарактеризовали данное исследование как значительное достижение в области развития кристаллов.